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IRF540NSTRLPBF芯片：高级HEXFET功率MOSFET技术特性与应用.pdf

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    国际

    IOR整流器

    •高级工艺技术

    •超低导通电阻动态dv/dt

    额定值175°C工作温度

    •快速切换

    •完全雪崩额定

    描述

    国际整流器公司的高级HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，实现了单位硅面

    积的极低导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET著名的快速开关速度和坚

    固的器件设计，为设计者了一种在各种应用中极为高效且

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