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ITO基底上不同形貌纳—微米ZnS的构筑、特性剖析与光学性能洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，硫化锌（ZnS）凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着举足轻重的地位。作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，ZnS拥有3.68eV的宽带隙，这一特性使其在室温下展现出优异的光学和电学性能，为其在众多光电器件中的应用奠定了坚实基础。

ZnS具有高荧光量子效率，能够高效地将吸收的能量转化为荧光发射，这使得它在荧光材料领域大放异彩，被广泛应用于荧光粉、生物荧光标记等领域，为相关技术的发展提供了关键支持。ZnS还具备良好的化学稳定性和热稳定性，能够在不同的环境条件