附录11956年诺贝尔物理奖——晶体管的发明经过
及电力电子器件的发展
在20世纪40年代末,二次世界大战已经结束。在战争中发挥巨大作用的真空电子管功耗大、体积
大、寿命短、使用不便、易震碎、较昂贵等许多缺点促使人们研究固体电子器件。当时已经有一个叫
J.Lillienfeild的人,提出过一个固体器件构想:在一块半导体(Semiconductor)上做一层绝缘二氧化硅层
(
Oxide),再在其上面做一层金属层(Metal),这样就构成了MOS场效应晶体管结
附录11956年诺贝尔物理奖——晶体管的发明经过
及电力电子器件的发展
在20世纪40年代末,二次世界大战已经结束。在战争中发挥巨大作用的真空电子管功耗大、体积
大、寿命短、使用不便、易震碎、较昂贵等许多缺点促使人们研究固体电子器件。当时已经有一个叫
J.Lillienfeild的人,提出过一个固体器件构想:在一块半导体(Semiconductor)上做一层绝缘二氧化硅层
(
Oxide),再在其上面做一层金属层(Metal),这样就构成了MOS场效应晶体管结
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