MOSFET参数理解及测试项目方法.ppt

MOSFET参数理解及

测试项目方法

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MOSFET简要介绍MOSFET（Metal–Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)---金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET根据导电沟道形成机理可分为：1、增强型2、耗尽型MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为：1、PMOS2、NMOS

MOSFET简要介绍MOS管结构及符号图(a)内部结构断面示意图(b)N沟道符号，P沟道符号G：栅极D：漏极S：源极

MOSFET参数理解及测试方法MOSFET参数很多，一般Datasheet包含以下参数：极限参数：VDS：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。VGS：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。ID：额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。特定温度下，此电流的大小由RDS（ON）和封装形式决定，其