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MARKET

ANALYSIS

HBM芯片2026

行业简析报告

版权归属上海嘉世营销咨询有限公司

报告摘要

ReportSummary

在高性能计算与人工智能大模型爆发的双重驱动下，传统冯·诺依曼架构下的“内存墙”瓶颈愈发显著。高带宽内存（HBM）凭借2.5D/3D先进封装技术，通过TSV

硅通孔与微凸块实现DRAM晶圆的垂直堆叠，将存取带宽提升至太字节级，缩短存储与逻辑芯片间的物理距离，成为当前打破算力束缚、支撑万亿级参数训练的核

心底层技术。

全球HBM市场正经历半导体史上罕见的指数级增长。受限于长达12-18个月的扩产周期，2024至2026年间全球产能将持续处于满产售罄状态。行业演进已从早期

奠基步入HBM3e的出货高峰，并向HBM4的翻倍位宽标准跨越。竞争格局呈现极端的寡头垄断，SK海力士、三星与美光三巨头通过技术生态与长协合同锁定了行业

话语权，产业链利润高度向中游IDM及先进制程代工环节倾斜。

展望未来，AI原生应用、绿色数据中心改造及高