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氧化镓与氮化铝超宽禁带半导体材料对第三代半导体的补充与未来替代威胁评估

摘要

本研报聚焦超宽禁带半导体材料领域，重点评估β-Ga?O?（氧化镓）与AlN（氮化铝）对SiC/GaN主导的第三代半导体的补充作用及潜在替代威胁。研究范围涵盖2020-2035年全球市场，地理覆盖中、美、日、欧等核心区域。核心发现显示：β-Ga?O?在超高功率领域理论击穿电场达8MV/cm，较SiC（3MV/cm）提升167%，可显著降低器件成本；AlN在深紫外应用中禁带宽度6.2eV，光提取效率超80%，远优于GaN基器件。当前全球超宽禁带半导体市场规模仅0.8亿美元（2023年），占第三代半