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集成电路设计试题及解析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

在CMOS集成电路中，决定反相器逻辑阈值电压（V_{th}）的主要因素是？

A.电源电压VDD的绝对值大小

B.PMOS管和NMOS管的宽长比（W/L）之比

C.衬底偏置电压的大小

D.栅氧化层的厚度

答案：B

解析：CMOS反相器的逻辑阈值电压V_{th}，即输入电压等于输出电压的点，主要由构成反相器的PMOS管和NMOS管的驱动能力（即跨导）之比决定，而驱动能力与晶体管的宽长比（W/L）成正比。因此，通过调整PMOS和NMOS的宽长比可以精确设置V_{th}。选项A，电源电压影响噪声容限和功耗，但不直接决定V_{th}；选项C，衬底偏置影响阈值电压和体效应，但不是设计V_{th}的主要手段；选项D，栅氧厚度影响栅电容和栅控能力，与V_{th}有关，但在工艺确定后是固定值，不是设计时可调的主要因素。

以下哪种版图设计技术的主要目的是为了减小闩锁效应（Latch-up）的风险？

A.使用保护环（GuardRing）

B.增加金属连线的宽度

C.采用多晶硅栅作为互连线

D.对器件进行源漏注入

答案：A

解析：闩锁效应是由CMOS工艺中寄生的PNPN结构（可控硅结构）引发的低阻通路现象，可能导致芯片烧毁。保护环（通常是N+环包围PMOS，P+环包围NMOS）可以收集少数载流子，降低寄生三极管的增益