CN119562756A 基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的忆阻器及其制备方法 (华东师范大学).pdfVIP

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  • 2026-07-21 发布于重庆
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CN119562756A 基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的忆阻器及其制备方法 (华东师范大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119562756A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202411751725.4

(22)申请日2024.12.02

(71)申请人华东师范大学

地址200241上海市闵行区东川路500号

(72)发明人胡志高王林商丽燕李亚巍

朱亮清褚君浩

(74)专利代理机构上海蓝迪专利商标事务所

(普通合伙)31215

专利代理师徐筱梅张翔

(51)Int.Cl.

H10N70/00(2023.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜

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