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探索非极性A-GaN薄膜：MOCVD生长与物性研究新视野

引言

在半导体材料的广袤领域中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能，已然成为研究与应用的焦点。作为第三代半导体材料的杰出代表，GaN拥有宽禁带宽度、高击穿电场、高电子迁移率以及出色的化学稳定性等一系列优异特性，这些特性使其在光电子和微电子领域展现出巨大的应用潜力，成为了支撑现代科技发展的关键材料之一。

非极性A-GaN薄膜，作为GaN材料家族中的重要成员，更是具有独特的优势。在传统的极性GaN材料中，由于存在自发极化和压电极化现象，会产生内建电场，进而引发量子限制斯塔克效应（QCSE）。这一效应会导致能带弯曲，能级位置发生变化，最终使得发光波长红移，同时电子和空穴波函数交叠变小，致使量子阱发光效率显著下降。而当采用非极性A-GaN薄膜时，能有效避免量子限制斯塔克效应，这为提升器件性能提供了新的路径，极大地拓展了其在深紫外发光二极管（DUV-LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等高性能光电器件中的应用前景。例如，在DUV-LED中，非极性A-GaN薄膜的应用有望实现高效率的深紫外发光，满足生物医疗、水净化、紫外通信等领域对深紫外光源的迫切需求；在HEMT器件中，使用非极性A-GaN薄膜可降低器件的功耗，提高电子迁移率，从而提升器件的工作频率和功率密度，推动5G