原创力文档2026碳化硅功率器件良率提升工艺突破
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、碳化硅功率器件良率提升的产业背景与战略价值 5
1.1全球及中国SiC器件市场与良率瓶颈现状 5
1.2良率对成本结构与供应链安全的决定性影响 7
二、碳化硅材料端良率提升的核心工艺突破 10
2.14H-SiC低位错与微管控制的晶体生长优化 10
2.2衬底抛光与表面处理对良率的前置影响 13
三、外延生长工艺窗口的精细化与缺陷压制 16
3.14H-SiC同质外延的CVD工艺参数优化 16
3.2基平面位错与贯穿螺位错的外延转化抑制
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