AlON电子结构第一性原理计算研究.pdfVIP

一、课题背景及意义

传统方法新材料要通过大量实验，寻找规律，确定最佳性能不仅费时费力而且带有较大的

经济消耗，同时，受实验条件的局限性，对材料微观结构演变的影响规律得不到很好的解释，而这

正是影响材料性质改变的本质。

AlON陶瓷具有良好的光学性能、介电性能、力学性能和化学性能。采用传统工艺的致密

且透明的AION多晶陶瓷，其强度高达380MPa,硬度达19GPa,透光波长范围为0.2~6.0μm。可用作

高温窗口部位材料和耐火材料使用。

本课题通过对AlON电子结构的第一性原理的计算，即O部分取代N的能带结构、能态密度、

分液态密度等，可以帮助我进一步理解周期性晶体结构材料的电子结构，并进一步理解掺杂对半导

体材料带隙的影响。

二、课题的主要内容

学习了度泛函理论（DFT），使用MaterialStudio软件构建AlON的晶体结构，对完整晶

体结构进行优化，使用CASTEP计算AlON的电子结构，包括能带结构、能态密度、分波态密度、并

进一步计算AlON的光学性质。

关于上面提到的几个概念如下：

第一性原理有两种概念，分别是广义的和狭义的。首先，狭义的角度上说的第一性原理，指的