CN119571462A 一种低电阻率碳化硅单晶的生长方法、系统及单晶 (山东大学).pdfVIP

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  • 2026-07-22 发布于重庆
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CN119571462A 一种低电阻率碳化硅单晶的生长方法、系统及单晶 (山东大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119571462A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411763136.8

(22)申请日2024.12.03

(71)申请人山东大学

地址250100山东省济南市历城区山大南

路27号

(72)发明人谢雪健田佳奇陈秀芳杨祥龙

徐现刚

(74)专利代理机构济南圣达知识产权代理有限

公司37221

专利代理师李琳

(51)Int.Cl.

C30B29/36(2006.01)

C30B35/00(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

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