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2026年电子工程微电子技术与半导体材料试题

一、单选题（共10题，每题2分，合计20分）

考察方向：半导体材料基本概念、物理特性及行业应用

1.下列哪种材料属于直接带隙半导体，适用于发光二极管制造？

A.Si（硅）

B.GaAs（砷化镓）

C.Ge（锗）

D.InP（磷化铟）

2.硅的禁带宽度约为多少电子伏特？

A.0.67eV

B.1.12eV

C.3.2eV

D.2.17eV

3.以下哪种掺杂剂属于N型掺杂？

A.B（硼）

B.Al（铝）

C.P（磷）

D.In（铟）

4.半导体中电子浓度与空穴浓度的关系，在热平衡状态下正确的是？

A.n=p

B.np

C.np

D.不确定

5.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的栅极材料通常使用？

A.SiO?（二氧化硅）

B.Al?O?（氧化铝）

C.Si?N?（氮化硅）

D.Ta?O?（五氧化二钽）

6.高纯度硅制备通常采用？

A.Czochralski法（直拉法）

B.Float-Zone法（浮区法）

C.VGF法（垂直梯度凝固法）

D.以上都是

7.以下哪种材料属于宽禁带半导体，适用于高压器件？

A.GaN（氮化镓）

B.SiC（碳化硅）

C.InN（氮化铟）

D.Ga?O?（氧化镓）