CN119653776A 栅极氧化层生长方法、半导体器件制备方法和半导体器件 (粤芯半导体技术股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-07-23 发布于重庆
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CN119653776A 栅极氧化层生长方法、半导体器件制备方法和半导体器件 (粤芯半导体技术股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119653776A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411763174.3

(22)申请日2024.12.03

(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司

地址510000广东省广州市黄埔区凤凰五

路28号

(72)发明人欧阳文森崔敏王胜林

(74)专利代理机构北京泽方誉航专利代理事务

所(普通合伙)11884

专利代理师陈照辉

(51)Int.Cl.

H10B41/30(2023.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

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