AI训练GPU CPU核心供电中基于GaN的48V转1V超高电流密度VRM方案.docxVIP

PAGE2

AI训练GPU/CPU核心供电中基于GaN的48V转1V超高电流密度VRM方案

摘要

本报告聚焦数据中心AI训练场景下GPU/CPU核心供电的48V转1V电压调节模块（VRM）市场，重点研究氮化镓（GaN）器件在垂直供电架构与多相拓扑（TLVR）中的应用价值。调研范围覆盖2021-2023年全球主要数据中心设备厂商、电源供应商及芯片设计企业，采用定量问卷、专家访谈与行业数据库分析相结合的方法。核心发现显示：AI芯片电流需求激增至2000A以上，传统硅基VRM效率不足85%，而GaN方案可实现95%+转换效率与3倍电流密度提升，解决低电压（1V±50mV）、大电流及微秒级动态响应挑战。

市场现状表明，2023年AI专用VRM市场规模达18.7亿美元，年复合增长率28.5%，其中GaN渗透率仅12%，但预计2027年将突破45%。主要瓶颈在于GaN器件成本较硅基高30%，且热管理设计复杂度增加。竞争格局中，TI与Infineon占据高端市场60%份额，但初创企业如Navitas凭借TLVR拓扑创新快速切入。关键机会在于48V-1V垂直供电架构可减少PCB面积40%，满足OCP开放计算项目需求。

报告建议优先布局GaN集成封装技术，通过模块化设计降低客户导入门槛。预测2025年超高电流密度VRM市场将达35亿美元，GaN方案成本有望下降25%。核心数据支撑：实测GaN