超声雾化气相沉积生长Zn₁₋ₓMgₓO薄膜的结构、光电特性及影响因素研究.docxVIP

超声雾化气相沉积生长Zn???Mg?O薄膜的结构、光电特性及影响因素研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，Zn???Mg?O薄膜作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，正逐渐崭露头角，吸引着众多科研工作者的目光。自1998年Ohtomo等首次成功报道制备出Zn???Mg?O以来，它凭借自身独特的优势，在半导体行业中占据了愈发重要的地位。

ZnO本身是一种具有优异特性的宽禁带光电半导体材料，室温下禁带宽度为3.36eV，激子束缚能高达60meV，这一数值远高于其他宽禁带半导体材料，如ZnSe的激子束缚能仅为20meV，GaN的激子束缚能是21meV，也远超室温热能（26meV）。如此出色的特性，使得ZnO具备了在室温下发射蓝光或近紫外光的优越条件，在紫外探测器、发光二极管（LEDs）和半导体激光器（LDs）等光电器件领域展现出了广阔的应用前景。而通过合金化方法往ZnO中掺入适量的Mg，形成的Zn???Mg?O三元合金薄膜，更是实现了对ZnO的能带剪裁工程，其禁带宽度可在3.2-7.9eV范围内连续可调。这一特性使得Zn???Mg?O薄膜在光电器件应用中拥有了更大的优势，例如可以用于生产覆盖从蓝光到紫外光谱区域的半导体激光器，其带隙连续可调的特性还能应用于ZnO/Zn???Mg?O