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氧化镓异质外延技术及器件性能与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子技术中扮演着至关重要的角色。从日常使用的电子设备到高端的航空航天领域，半导体器件的性能直接影响着整个系统的功能和效率。氧化镓（Ga?O?）作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，近年来受到了广泛的关注。其禁带宽度高达4.9eV，相比传统的硅基半导体以及第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），展现出更为卓越的物理特性。

氧化镓的超宽禁带特性赋予了它一系列优异的性能。例如，其击穿场强理论上可达8MV/cm，约为硅的20倍、氮化镓的2.5倍、碳化硅的3倍多，这使得基于氧化镓的功率器件能够承受更高的电压，大大提升了其在高压应用场景中的可靠性和稳定性。在新能源汽车的充电桩、智能电网的电力转换等高压环境下，氧化镓功率器件能够有效降低能量损耗，提高能源利用效率。氧化镓还具有耐高温、抗辐照等特性，使其在极端环境下仍能保持良好的电学性能，为航空航天、军事等特殊领域的电子设备提供了新的材料选择。

在异质外延方面，通过在不同衬底上生长高质量的氧化镓薄膜，可以进一步拓展其应用范围。然而，由于氧化镓与常见衬底之间存在晶格失配和热失配等问题，实现高质量的异质外延生长面临诸多挑战。深入研究氧化镓的异质外延技术，对于解决这些问题、提高外延薄膜的质量和性能具有重要意义。高质量的