SJT 12005-2025 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板标准立项发展报告.docx

功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板标准立项发展报告

英文标题：StandardizationDevelopmentReport:ActiveMetalBrazing(AMB)SiliconNitrideCeramicCopper-CladSubstrateforPowerSemiconductorPackaging

摘要

本报告围绕行业标准SJ/T12005-2025《功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板》的立项、制定与发布展开论述。随着第三代半导体（碳化硅、氮化镓）及高压大功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模组的快速