全国中学生物理竞赛预赛（高二组）磁场边界问题与临界条件考核试卷含答案.docxVIP

全国中学生物理竞赛预赛（高二组）磁场边界问题与临界条件考核试卷含答案

一、题目

在一个无限大的均匀磁场中，存在一个半径为R的圆柱形区域，该区域的磁场方向垂直于圆柱底面，磁感应强度为B。在圆柱区域内，有一质量为m、电荷量为q的带电粒子，以速度v沿水平方向射入圆柱区域，速度方向与磁场方向垂直。问：

1.写出带电粒子在磁场中运动的半径R的表达式。

2.若要使带电粒子刚好不离开圆柱磁场区域，求入射速度v的临界值。

3.若带电粒子在磁场中运动时，圆柱区域的磁场边界发生变化，使得带电粒子刚好离开磁场区域，求边界变化后的半径R的表达式。

二、解答过程

1.带电粒子在磁场中运动的半径R的表达式：

带电粒子在磁场中受到的洛伦兹力为F=qvB，该力使粒子做圆周运动。根据牛顿第二定律，有F=mv2/R。将两个力相等，得：

qvB=mv2/R

R=mv/(qB)

2.入射速度v的临界值：

为了使带电粒子刚好不离开圆柱磁场区域，粒子在磁场中运动的轨迹应与圆柱边界相切。此时，粒子的运动轨迹半径R等于圆柱半径R。将R代入R的表达式，得：

R=mv/(qB)

v=qBR/m

所以，入射速度的临界值为v=qBR/m。

3.边界变化后的半径R的表达式：

当磁场边界发生变化后，带电粒子刚好离开磁场区域，说明粒子在磁场中的运动轨迹与边界