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第三代半导体在导弹电子系统小型化与高g值抗冲击电源中的应用进展

摘要

本报告聚焦第三代半导体材料（以碳化硅SiC和氮化镓GaN为核心）在导弹电子系统，特别是高过载电源模块中的工程化应用进展。调研范围覆盖全球主要军事工业体，时间跨度自2020年至2026年。

核心发现表明，SiC/GaN器件正从“可选替代”演变为“刚需支撑”，其根本动因在于新一代导弹对电子系统小型化、高功率密度及极端环境生存能力提出了不可调和的矛盾需求。通过广泛收集一手实验数据与二手技术文献，报告揭示了宽禁带器件在承受数万g值冲击时的本征结构优势，远超传统硅基器件的物理极限。

报告遵循“环境-现状-需求-竞争-