stober法制备SiO2空心球.docx

第1章绪论

1.1课题背景

由于科技不断地发展和进步，微电子领域的研究以及生产出的产品逐渐向小型化、高频率、高速度发展，特征尺寸逐渐缩小到微米的级别左右，此时，第五代(5G)移动通讯技术这样的先进信息技术到来，对相关材料的性能也有着要求[1]。而作为集成电路的核心，芯片的功能会不断增强、体积越来越小，电路信号的传播速度取决于介质材

料的介电常数和介电损耗[2]。而随着研究的不断进展，低介电常数介质材料越来越多，要求也越来越高[3]。

他们的关系式如(1-1)所示：

(1-1)

(1-1)

式中：

—信号传输速度；

—常数；

—光速；

—介电常数。

信号的传输损失率如(1-2)所示：