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- 2026-07-27 发布于江苏
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§4.3CMOS反相器
4.3.1CMOS逻辑电路的特点
4.3.2CMOS反相器特性分析
4.3.3CMOS传输门
§4.4三态输出缓冲器
§4.5静态CMOS逻辑门电路
4.5.1CMOS基本门电路
§4.6动态和准静态CMOS电路
4.6.1动态CMOS电路
§4.7CMOS变型电路
4.7.1伪NMOS逻辑
4.7.2钟控CMOS逻辑(C2MOS)
4.7.3预充电鉴别逻辑(P-E逻辑)
4.7.4多米诺(Domino)CMOS逻辑;§4.1MOS器件的基本电学特性;图4.1NMOS结构示意图;图4.2不同VG下NMOSFET能带分布;4.1.2MOSFET的阈值电压;式中
?MS-栅与衬底的接触电势差
VBS-衬底与源之间的衬偏电压
?S-衬底表面势
?FB-硅衬底的体费米势
QSS-硅与Si2O界面的单位面积电荷量(C/cm2)
QB0-零衬偏时Si2O下面耗尽层单位面积的电荷量(C/cm2)
Qi-调沟离子注入时引入的单位面积电荷量
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