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微型二维材料晶体管电子束曝光废气环评报告

一、项目概况

微型二维材料晶体管作为后摩尔时代的核心电子器件之一，在柔性显示、量子计算、高灵敏度传感器等领域具有广阔应用前景。本项目依托某国家级半导体研究院的先进实验室平台，开展基于石墨烯、过渡金属硫化物（如MoS?、WS?）等二维材料的晶体管制备工艺研发，核心工序为电子束曝光（ElectronBeamLithography,EBL）。项目总投资1200万元，建设周期6个月，建成后将形成年研发制备1000片4英寸二维材料晶体管晶圆的能力，主要服务于高校科研合作、企业技术委托开发及国家级科研项目攻关。

电子束曝光工序是本项目废气产生的核心环节，该工序通过聚焦电子束在涂有电子束抗蚀剂的二维材料晶圆上绘制纳米级图案，为后续刻蚀、沉积等工艺提供精准模板。项目采用德国蔡司公司生产的EBPG5000+ES型电子束曝光系统，配套美国杜邦公司的PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、ZEP520A等正性电子束抗蚀剂，以及日本东京应化的负性抗蚀剂NXR-1020。曝光过程中，电子束的高能量会引发抗蚀剂分子的链断裂或交联反应，同时伴随有机溶剂的挥发和反应副产物的生成，从而产生工艺废气。

二、废气产生环节与污染物分析

（一）废气产生环节识别

本项目电子束曝光工艺主要包括晶圆预处理、抗蚀剂涂布、前烘、电子束曝光、显影、后烘等步骤，其中废气主要产生于以下三个核心环节：