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微型氮化硼器件化学气相沉积废气环评报告

一、项目概况

微型氮化硼器件作为新一代宽禁带半导体材料的典型代表，在高温电子器件、量子计算、柔性电子等前沿领域展现出巨大应用潜力。本项目拟在国家级高新技术产业园区内建设一条年产10万片微型氮化硼器件的生产线，总投资2.8亿元，占地面积约12000平方米，主要包含洁净生产车间、研发中心、废气处理站及配套辅助设施。

项目核心生产工艺为化学气相沉积（CVD）法制备氮化硼薄膜及器件加工，具体流程涵盖衬底预处理、气相沉积、薄膜刻蚀、器件封装等环节。其中，化学气相沉积工序是废气产生的主要环节，该过程以氨气（NH?）、硼烷（B?H?）为反应前驱体，在高温、低压环境下通过气相化学反应在衬底表面沉积氮化硼薄膜，同时伴随副反应产生多种废气污染物。

二、废气产生环节与污染物分析

（一）废气产生环节识别

通过对生产全流程的系统梳理，本项目废气主要来源于以下四个关键环节：

化学气相沉积工序：该工序是项目废气的主要来源，占总废气产生量的85%以上。在沉积过程中，未参与反应的氨气、硼烷会随尾气排出，同时反应副产物氢化硼（BH?）、氮气（N?）及少量颗粒物会混入废气中。此外，沉积腔室定期清洗时使用的氢氟酸（HF）、硝酸（HNO?）等清洗液挥发也会产生含酸雾废气。

衬底预处理工序：衬底在进入沉积腔室前需进行清洗、烘干及表面活化处理。清洗过程中使用的异丙醇（IPA）、丙酮等有机