基于GaN器件的高功率密度双向DC-DC变换器磁集成技术研究.docxVIP

PAGE2

基于GaN器件的高功率密度双向DC-DC变换器磁集成技术研究

摘要

随着新能源发电、储能系统及电动汽车等领域对电能变换装置功率密度与效率要求的持续提升，基于宽禁带半导体氮化镓（GaN）器件的高频化、小型化双向DC-DC变换器已成为研究热点。本课题以GaN器件为核心，聚焦于高功率密度双向DC-DC变换器的磁集成技术，设计一种耦合电感结构，系统分析磁集成对变换器体积与效率的影响，实现高频化与小型化设计目标。

论文采用“需求分析→总体设计→详细设计→实现→测试”的工程递进思路展开。首先，绪论阐述双向变换器功率密度提升的痛点与磁集成技术的应用潜力；其次，介绍GaN器件特性、磁集成原理及双向拓扑等关键技术，并完成技术选型论证；接着，在需求分析中明确变换器的电气指标、体积与效率约束；随后，在总体设计中提出基于GaN半桥LLC拓扑的磁集成方案，并进行模块划分；详细设计章节重点研究了耦合电感的磁路结构、绕组排布与损耗模型，给出参数优化设计流程；实现部分利用仿真平台搭建变换器模型，完成关键参数计算与运行验证；测试部分通过对比实验，量化磁集成方案在效率、体积和温升方面的优势。本设计的核心创新在于提出一种适用于GaN高频应用的低漏感、高耦合系数的磁集成结构，并通过优化设计在保证效率的同时显著减小了磁件体积，为高功率密度双向变换器的小型化提供了有效技术路径。

关键词：氮化镓器件；双向DC