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笔记本电脑电源管理用FDS4435A P-通道逻辑电平PowerTrench MOSFET技术规格.pdfVIP

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  • 2026-07-30 发布于北京
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笔记本电脑电源管理用FDS4435A P-通道逻辑电平PowerTrench MOSFET技术规格.pdf

    2001年10月

    FDS4435A

    P‑通道逻辑电平PowerTrenchMOSFET

    一般描述特性

    此P沟道逻辑电平MOSFET是使用•‑9A，‑30V。RDS(ON))=0.017@V=‑10V

    GS

    Fairchild的先进PowerTrench工艺RDS(ON)=0.025@VGS=‑4.5V

    特别优化以最小化导通状态

    电阻低且保持低栅极电荷以实现卓越的•栅极电荷低（典型值为21nC）。

    开关性能。

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