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8英寸SiC衬底切磨抛工艺难点突破与2026-2028年产能释放对价格的影响

摘要

本报告聚焦于宽禁带半导体核心材料——8英寸碳化硅（SiC）衬底制造中，激光剥离（LLO）、多线切割（MWSC）及化学机械抛光（CMP）等关键切磨抛工艺的技术演进与市场影响。报告旨在系统分析当前8英寸SiC衬底量产转型过程中的核心工艺难点、良率爬坡曲线及成本结构变化，并预测2026-2028年大规模产能释放对市场价格体系的冲击。

核心发现显示，从6英寸向8英寸的转型是降低SiC器件成本的关键路径，但工艺放大并非简单几何尺寸扩展，面临巨大技术挑战。激光剥离技术通过优化激光参数与扫描策略，在降低衬底