GBT 14847-2025 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法标准立项发展报告.docx

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:TestMethodforThicknessofLightlyDopedSiliconEpitaxialLayersonHeavilyDopedSubstrates-InfraredReflectanceMethod

摘要

本报告围绕国家标准GB/T14847-2025《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法》的立项与发展展开深入探讨。随着半导体产业向更小线宽、更高集成度方向发展，硅外延片作为关键基础材料，其质量检测技术的重要性日益凸显。红外反射法作为一种非接触、无损、高精度的测试技术，已成为测定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的主流方法。本标准旨在替代旧版标准，以适应材料制备工艺的迭代升级和测试设备自动化、智能化的发展趋势。报告首先阐述了规范的背景与意义，分析了当前国内外相关技术标准的发展状况。随后，详细介绍了标准的主要技术内容，包括测试原理、仪器要求、样品制备、测试步骤、数据处理及影响因素等。特别地，报告对主导本标准修订的核心单位——中国电子技术标准化研究院（CESI）进行了详细介绍，强调了其在国家标准化战略中的引领作用。最后，报告总结了本标准对提升我国半导体材料产业质量控制水平、促进产业链协同发展