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CMOS低噪声放大器RF-ESD设计与测量：二极管保护与电感保护对比.pdf

CMOS低噪声放大器RF-ESD设计与测量：二极管保护与电感保护对比.pdf

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    CMOS低噪声放大器的RF‑ESD设计与

    测量：二极管保护与电感保护的比较

    PaulLeroux†和MichielSteyaert

    ESAT‑MICAS,K.U.Leuven,

    KasteelparkArenberg10,

    B‑3001Leuven,比利时.

    邮箱:paul.leroux@esat.kuleuven.ac.be

    —本文比较了两种适用于CMOS低噪声放大器的ESD保护方法。通过设计和测量两个

    高性能LNA原型来说明这种比较。第一个带有二极管保护的放大器针

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