CN119653788A 一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺 (西安电子科技大学).pdfVIP

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  • 2026-07-31 发布于重庆
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CN119653788A 一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺 (西安电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119653788A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411744686.5

(22)申请日2024.12.01

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张乐朱青雷毅敏荀巍

范佳桐马晓华

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

专利代理师田文英

(51)Int.Cl.

H10D8/60(2025.01)

H10D64/62(2025.01)

H10D64/64(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

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