CN119907290A 双栅mos结构及其制备方法 (晶芯成(北京)科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-07-31 发布于重庆
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CN119907290A 双栅mos结构及其制备方法 (晶芯成(北京)科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119907290A

(43)申请公布日2025.04.29

(21)申请号202510397428.2H10D62/10(2025.01)

H10D30/60(2025.01)

(22)申请日2025.04.01

(71)申请人晶芯成(北京)科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人王文智刘哲儒

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司

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