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西科大模电试题及答案

一、选择题（共20分，每题2分）

1.在本征半导体中，掺入三价元素杂质后，形成的载流子主要是（）。

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.不能形成载流子

答案：B

2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.无法确定

答案：A

3.晶体管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）。

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结均正偏

D.发射结和集电结均反偏

答案：A

4.某放大电路在输入电压为1mV时，输出电压为5V；当输入电压为10mV时，输出电压为20V（出现了失真），则该电路的电压放大倍数为（）。

A.5000

B.2000

C.1000

D.200

答案：B

5.在共射极放大电路中，若集电极电阻$R_C$增大，则电压放大倍数（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.变为负值

答案：B

6.某场效应管漏极特性曲线如图所示，该管属于（）。

A.增强型NMOS管

B.耗尽型NMOS管

C.增强型PMOS管

D.耗尽型PMOS管

答案