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功率半导体器件原理期末考试试题（含详细答案）

适用专业：电气工程及其自动化、电力电子与电力传动

考试时长：120分钟

满分：100分

考试说明：闭卷考试，禁止携带资料，答案写在答题纸对应位置

一、填空题（每空1分，共20分）

1、功率半导体器件的核心性能要求为________、________、低损耗、高可靠性。

2、电力二极管的正向导通特性分为________区和________区，正常工作导通时处于________区。

3、晶闸管（SCR）的导通条件是________和________，关断条件是________。

4、功率MOSFET属于________控制型器件，IGBT属于________控制型器件，二者均为________驱动器件。

5、功率MOSFET内部存在固有________二极管，可实现________导通，常用于逆变电路续流。

6、IGBT的基本结构是________与________的复合结构，兼具二者的性能优势。

7、电力电子器件的损耗主要分为________损耗、________损耗和导通损耗，高频工况下________损耗占主导。

8、晶闸管的关断时间由________时间和________时间两部分组成。

9、SiC、GaN等宽禁带半导体器件相比硅基器件，具有________、________、耐高温性能好的优势。

二、单项选择题（每题2分，共20