创是微电子2026校招笔试真题（硬件_IC设计岗）含详细答案.docxVIP

创是微电子2026校招笔试真题（硬件/IC设计岗）含详细答案

考试说明

1.考试时长：90分钟，满分100分

2.适用岗位：数字IC设计、IC验证、硬件开发、微电子研发应届生

3.答题要求：独立作答，代码题规范工整，简答题逻辑清晰，禁止空题

4.题型分布：单选10题（20分）、多选5题（15分）、简答4题（25分）、Verilog代码题2题（25分）、综合分析题1题（15分）

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下关于NMOS和PMOS晶体管的导通特性，说法正确的是（）

A.NMOS高电平导通，PMOS高电平导通

B.NMOS高电平导通，PMOS低电平导通

C.NMOS低电平导通，PMOS高电平导通

D.NMOS低电平导通，PMOS低电平导通

答案：B

详细解析：常规增强型CMOS管中，NMOS栅极电压高于阈值电压（高电平）导通，主要传输低电平；PMOS栅极电压低于阈值电压（低电平）导通，主要传输高电平，这是CMOS电路基础导通特性。

2.ADC转换器的分辨率主要由以下哪个参数决定（）

A.采样速率B.量化位数C.参考电压精度D.输入信号幅度

答案：B

详细解析：ADC分辨率计算公式为Vref/2^N（N为量化位数），量化位数越多，最小量化步进越小，分辨率越高。采样率决定采样速度，不影响幅度分辨率。

3.数字电路中建立时间（Tsu）的定