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化学气相沉积（CVD）课程期末考试试题及详细答案

适用专业：材料科学与工程、半导体材料、薄膜材料等

考试时长：90分钟

满分：100分

说明：试题贴合课堂教学与工业实际应用，无偏题、怪题，答案附带详细解析，侧重原理理解与工程应用

一、单项选择题（共10题，每题3分，共30分）

1.化学气相沉积技术的核心原理是利用气态前驱体在基体表面发生（），生成固态薄膜或涂层的工艺。

A.物理冷凝反应B.化学反应C.等离子轰击D.机械沉积

2.常规常压化学气相沉积（APCVD）的工作压强范围是（）

A.101kPa左右B.1~10kPaC.10~100PaD.0.1~10Pa

3.低压化学气相沉积（LPCVD）相较于APCVD最主要的优势是（）

A.沉积速率更快B.薄膜均匀性更好、台阶覆盖性优C.设备成本更低D.反应温度更高

4.半导体工艺中沉积多晶硅薄膜，最常用的工艺是（）

A.APCVDB.LPCVDC.PECVDD.MOCVD

5.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）能够大幅降低沉积温度的核心原因是（）

A.腔体压强更低B.等离子体活化气体分子，替代部分热能C.前驱体浓度更高D.基体材质特殊

6.MOCVD（金属有机化学气相沉积）主要用于制备（）材料

A