2024年电子信息专业研究生《集成电路电子》设计竞赛模拟考试笔试题及答案.docxVIP

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  • 2026-08-03 发布于四川
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2024年电子信息专业研究生《集成电路电子》设计竞赛模拟考试笔试题及答案.docx

2024年电子信息专业研究生《集成电路电子》设计竞赛模拟考试笔试题及答案

一、选择题(每题2分,共20分)

(一)单项选择题(每题只有一个正确答案)

1.在CMOS反相器中,当输入电压从低电平跳变到高电平时,主要的功耗来源是()。

A.静态功耗

B.短路功耗

C.动态功耗(开关功耗)

D.漏电功耗

答案:C

2.对于一个工作在饱和区的NMOS晶体管,其漏极电流与过驱动电压的关系是()。

A.∝

B.∝

C.∝

D.∝

答案:B

3.在设计一个高速数字电路时,为了减少信号完整性问题,最需要关注的是()。

A.电源电压的绝对值

B.互连线的电阻

C.互连线的电感和电容引起的传输线效应

D.晶体管的阈值电压

答案:C

4.以下哪项技术主要用于降低数字电路中的动态功耗?()

A.使用高阈值电压晶体管

B.电源门控

C.降低电源电压

D.采用硅通孔技术

答案:C

5.在运算放大器设计中,采用共源共栅结构的主要目的是()。

A.提高输出电压摆幅

B.降低功耗

C.提高增益

D.提高带宽

答案:C

(二)多项选择题(每题至少有两个正确答案,全部选对得2分,漏选得1分,错选或不选得0分)

6.关于锁相环的基本组成模块,下列描述正确的有()。

A.鉴相器用于比较输入信号和反馈信号的相位差

B.环路滤波

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