17.场效应晶体管的特性曲线.pptxVIP

CONTENTS01N沟道增强型MOS管曲线02N沟道耗尽型MOS管曲线主要内容

N沟道增强型MOS管特性曲线输出特性曲线可变电阻区恒流区夹断层参考图片D、S间为受UGS控制的可变电阻ID为受UGS控制的可变电流源放大工作区UGSUGS(th)沟道夹断，ID=0UGS=UGS(th)夹断层UGS为常数，UDS与ID关系

式中，ID0为场效应晶体管N沟道增强型MOS管特性曲线转移特性曲线UDS为常数，UGS与ID关系时，MOS管工作在恒流区，UGS对ID影响很小，ID可用下式表示：时的ID值。

场效应晶体管的结构输出特性曲线N沟道耗尽型MOS管特性曲线UGS可以在正负值的一定范围内控制ID夹断电压UGS(off)为负值

场效应晶体管的结构N沟道耗尽型MOS管特性曲线转移特性曲线饱和区转移特性式中，IDSS为饱和漏极电流，即UGS=0时的ID值。

思考场效应管特性是否会受温度影响呢？温度升高其特性曲线会如何变化呢？

总结场效应晶体管的特性曲线N沟道增强型输出特性UGS为常数，UDS与ID关系三个区转移特性UDS为常数，UGS与ID关系N沟道耗尽型输出特性UGS可正、可负或为零夹断电压UGS(off)转移特性