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中环半导体笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共30分。下列每题给出的选项中，只有一项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填涂在答题卡相应位置。）

1.在室温下，纯净的P型半导体中，主要载流子是？

A.空穴

B.电子

C.正离子

D.自由电子

2.当MOSFET工作在饱和区时，其输出特性曲线上的电流主要受哪个参数控制？

A.栅源电压（VGS）

B.漏源电压（VDS）

C.漏极电流（ID）

D.跨导（gm）

3.在半导体器件制造过程中，以下哪项工艺主要目的是形成晶体管的有源区（源极和漏极）？

A.光刻

B.扩散

C.氧化

D.腐蚀

4.根据基尔霍夫电流定律（KCL），流入一个节点的电流总和等于？

A.流出该节点的电流总和

B.零

C.该节点电压

D.该节点电阻

5.对于N型MOSFET，当栅源电压VGS小于阈值电压Vth时，器件通常处于什么状态？

A.饱和区

B.可变电阻区

C.截止区

D.击穿区

6.半导体中的“掺杂”指的是？

A.提高半导体的纯度

B.在纯净半导