CN120190504A 一种用于碳化硅电极微孔的复合加工方法 (亿威盛半导体科技(上海)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-04 发布于重庆
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CN120190504A 一种用于碳化硅电极微孔的复合加工方法 (亿威盛半导体科技(上海)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120190504A

(43)申请公布日2025.06.24

(21)申请号202510397669.7B28D1/14(2006.01)

(22)申请日2025.04.01

(71)申请人亿威盛半导体科技(上海)有限公司

地址200120上海市浦东新区王桥路1017

号1层02室

(72)发明人丁双伟张耀文余正飞

(74)专利代理机构深圳鼎丞佰瑞知识产权代理

有限公司441149

专利代理师芦艳洁

(51)Int.Cl.

B23K26/382(2014.01)

H01J37/32(2006.01)

B23K26/1

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