含LiNbO₃缺陷层一维TiO₂_MgF₂可调带隙光子晶体的特性、调控与应用研究.docxVIP

含LiNbO?缺陷层一维TiO?/MgF?可调带隙光子晶体的特性、调控与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

自1987年E.Yablonovitch和S.John分别独立提出光子晶体的概念以来，光子晶体的研究便在全球范围内掀起了热潮。光子晶体是一种由不同介电常数的材料在空间周期性排列而形成的人工微结构，其最显著的特性是具有光子带隙，即特定频率范围的光无法在其中传播。这一特性使得光子晶体在光通信、光计算、光探测等领域展现出巨大的应用潜力，被广泛认为是未来光学领域的关键材料，有望推动光电器件的小型化、集成化和高性能化。

在众多光子晶体结构中，一维光子晶体由于其结构简单、制备工艺相对成熟，成为了研究和应用的热点之一。一维TiO?/MgF?光子晶体由TiO?和MgF?两种材料交替堆叠而成，TiO?具有较高的折射率，而MgF?的折射率较低，这种高低折射率材料的周期性排列赋予了该光子晶体独特的光学性质，在反射镜、滤波器等光电器件中已得到应用。然而，传统的一维TiO?/MgF?光子晶体带隙固定，难以满足现代光通信和光电器件对可调控光学性能的需求。

为了实现对光子晶体带隙的有效调控，研究人员开始探索在光子晶体中引入缺陷层。LiNbO?作为一种重要的电光材料，具有优异的电光效应，即在电场作用下其折射率会发生显著变化。将LiNbO?引入一维TiO?/MgF?光子