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- 2026-08-06 发布于北京
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引言
本实验将展示使用状态控制方法和相关死区时间开发三相逆变器的过程。主要
目的是研究不同级别的IGBT建模,首先使用“系统级”IGBT,然后通过过程
来使用Simplorer的设备表征工具对特定IGBT器件进行表征。
请注意,“系统级”IGBT是为了让用户能够快速评估系统级使用IGBT的开关电
路而创建的。这种IGBT了一种快速使用逻辑控制开关的方法,同时仍然表现
出IGBT器件的基本特性。
在本实验的下一部分,将建模一个更详细的IGBT。请注意,有三种可能的
IGBT建模级别(平均、基本动态和高级动态)。平均IGBT模型是为系统仿真创建
的,用于评估IGBT的热特性。它扩展了电气特性,并了两种不同的功率耗散
方法(平均和动态),以馈入热网络。基本动态级别增加了对电气动态行为的更
详细建模,而高级动态则进一步增加了对IGBT模型动态行为的更详细建模(有关
信息,请参阅Simplorer的帮助)。
第一部分:使用系统级IGB
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