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模拟IC面试题及答案

一、选择题（30分）

1.在CMOS反相器中，当输入为逻辑高电平时，以下哪个描述是正确的？

A.PMOS导通，NMOS截止

B.PMOS截止，NMOS导通

C.PMOS和NMOS都导通

D.PMOS和NMOS都截止

答案：B。在CMOS反相器中，当输入为逻辑高电平时，NMOS晶体管的栅极电压高于其阈值电压，因此NMOS导通；而PMOS晶体管的栅极电压接近其源极电压，使得|Vgs||Vtp|，因此PMOS截止。这种配置使得输出连接到地，输出为逻辑低电平。

2.以下关于运算放大器(Op-Amp)的描述，哪一项是错误的？

A.理想运放的输入阻抗为无穷大

B.理想运放的输出阻抗为零

C.理想运放的增益带宽积为常数

D.理想运放的共模抑制比为无穷大

答案：C。理想运放具有以下特性：输入阻抗无穷大，输出阻抗为零，开环增益无穷大，共模抑制比无穷大，带宽无限大，失调电压为零等。增益带宽积是实际运放的一个重要参数，表示增益与带宽的乘积为常数，但在理想运放模型中，增益被认为是无穷大的，因此增益带宽积的概念不适用于理想运放。

3.在集成电路制造中，以下哪种工艺技术主要用于减小MOSFET的短沟道效应？

A.LOCOS隔离

B.STI浅槽隔离

C.体硅技术

D.SOI技术

答案：