电子行业深度报告-AI算力驱动-硅电容乘势而起_17页_1mb.pptxVIP

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电容：以半导体工艺重塑被动元件性能边界

电容尚处产业化初期，市场竞争格局集中

电容（SiliconCapacitor）是指以晶圆为衬?，采用半导体工艺（如薄膜沉积、光刻、深?刻蚀等）制造而成的新型电容元件。电容对传统电容的颠覆，体现在材料

（采用氮氧化物）、工艺（晶圆级加工）和结构（三维堆叠、异质集成）的全面革新，从而在性能与集成密度上形成代际超越，特别适用于高频、高温、超薄封装及高可靠性等严苛应用场景。;行业深度报告;行业深度报告

MOS结构则利用栅氧化层与衬?形成电容，其容值随栅极电压动态变化，具备电压可调性，适用于高频调谐电路。该结构可与CMOS工艺高度兼容，便于集成片上电容阵列。优化栅氧厚度与沟道尺寸后，MOS结构可在高频下保持低损耗，100MHz下品质因数（Q值）可达50以上，满足射频前端电路的应用需求。;行业深度报告

产业内主要有三种?电容技术路线——平面结构（Planar）、深沟槽结构（DeepTrenchCapacitor，DTC）及过孔集成结构（ViaIntegratedCapacitor，VIC）。平面结构工艺最成熟，基于平面电极板形成电容，结构简单，容值密度相对有限，器件厚度为常规水平，主要应用于传统或低端通用场景。深沟槽结构工艺成熟，通过刻蚀高纵横比