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面向算力互联的深紫外光刻与光通信芯片：高数值孔径EUV光刻对PIC制造精度的提升趋势

摘要

本报告聚焦于先进调制与复用专业方向，深度探讨面向算力互联的光通信芯片（PIC）在深紫外及高数值孔径极紫外（High-NAEUV）光刻技术赋能下的制造精度提升趋势。研究范围覆盖全球及中国本土光通信芯片市场，预测周期设定为2024年至2029年。

核心趋势判断认为，随着AI算力互联对带宽需求的指数级增长，传统深紫外光刻在硅光波导加工中的精度瓶颈日益凸显。High-NAEUV光刻技术的导入，将显著降低波导侧壁粗糙度，进而大幅降低散射损耗，并使得超密集波分复用（UDWDM）与高阶正交幅度调制（QAM）的片上集成成为可能。

预计到2029年，高端PIC芯片的最小波导线宽将突破50纳米节点，单片集成度将提升5倍以上，端面耦合损耗有望降低至1dB以下。本报告逐章从宏观环境与驱动因素分析入手，评估行业现状与竞争格局，系统研判高精度光刻对PIC集成度与损耗影响的确定性趋势。

随后，报告推演了技术演进的时间线，并通过多场景量化预测，描绘了不同技术渗透率下的市场规模演变。最后，报告分析了趋势对产业链各环节的战略影响，为光通信芯片设计企业、晶圆代工厂及算力网络运营商提供具体的行动建议与风险预警。

第一章报告概述

1.1研究背景与目标

随着大模型训练与海量数据交互的爆发，算力互联网络正面临严