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6G通信前瞻：PECVD ALD高频材料沉积技术对天线性能的突破.docx

6G通信前瞻：PECVD ALD高频材料沉积技术对天线性能的突破.docx

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    6G通信前瞻：PECVDALD高频材料沉积技术对天线性能的突破

    TOC\o1-3\h\z\u11833一、6G通信背景与高频材料挑战 3

    181461.16G通信频段扩展对天线的性能要求 3

    47301.2传统制造工艺在太赫兹频段的局限性 4

    26150二、PECVD与ALD技术原理及特性对比 6

    87592.1等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术机制 6

    310962.2原子层沉积（ALD）技术的自限制生长特性 9

    325872.3两种技术在高频介质膜制备中的优劣分析 11

    314三、高频低损耗介电材料的沉积工艺

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