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ZnS及其掺杂的第一性原理研究

一、引言

ZnS作为一种重要的II-VI族化合物半导体，具有3.6eV的较大直接带隙以及39meV的可观激子结合能。在室温条件下，其可支持n型和p型掺杂，成本低廉且环境友好，具备良好的机械性能，如较高的断裂强度和硬度。ZnS存在两种主要晶型，即低温下（低于1290K）稳定的闪锌矿结构和高温或通过合成可得的纤锌矿结构，并且在极宽的能量范围内保持透明，从可见光到超过12微米的波长区间具有很高的透过率。基于这些特性，ZnS在太阳能电池、液晶显示器、发光二极管、传感器、可见光和红外光学透射窗口以及多种纳米结构器件等领域有着广泛的应用前景。

然而，为进一步拓展ZnS的应用范围，提升其性能，对ZnS进行掺杂成为重要的研究方向。通过掺杂不同元素，有望改变ZnS的电子结构、磁性以及光学性质，以满足不同领域对材料性能的特定需求。例如，在光催化领域，通过掺杂可提高其对可见光的吸收效率，增强光催化活性；在自旋电子学领域，掺杂后的ZnS有望展现出半金属铁磁等特性，为新型器件的开发提供材料基础。因此，深入研究ZnS及其掺杂体系的性质具有重要的理论和实际意义。

二、理论基础与计算方法

2.1密度泛函理论（DFT）

本研究基于密度泛函理论展开，该理论将多电子体系的基态能量表述为电子密度的泛函。在实际计算中，通