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半导体材料的制备与加工技术题库及答案

1.选择题

（1）以下哪种方法属于半导体单晶生长的熔体法？

A.化学气相沉积（CVD）

B.分子束外延（MBE）

C.切克劳斯基法（Czochralski）

D.物理气相传输（PVT）

答案：C

（2）在半导体材料清洗工艺中，SC-1溶液的主要成分是？

A.盐酸+双氧水+水

B.氨水+双氧水+水

C.硫酸+双氧水+水

D.氢氟酸+水

答案：B

（3）离子注入工艺中，决定杂质注入深度的关键参数是？

A.注入剂量

B.注入能量

C.靶材温度

D.离子种类

答案：B

（4）以下哪种晶体生长方法适用于制备高纯度、低缺陷密度的硅单晶？

A.垂直梯度凝固法（VGF）

B.区熔法（FZ）

C.布里奇曼法（Bridgman）

D.液相外延（LPE）

答案：B

（5）光刻工艺中，正性光刻胶的显影原理是？

A.曝光区域交联固化，未曝光区域被溶解

B.曝光区域化学键断裂，被显影液溶解

C.曝光区域吸收光能膨胀，未曝光区域收缩

D.曝光区域与显影液发生置换反应

答案：B

2.填空题

（1）半导体材料制备中，熔体法生长单晶的核心是控制__________与__________的动态平衡，以实现原子规则