半导体工艺试题及答案.docxVIP

半导体工艺试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪种光刻胶在深紫外（DUV）曝光中更常用？

A.正性光刻胶（DNQ-Novolac）

B.负性光刻胶（环化橡胶）

C.化学放大光刻胶（CAR）

D.电子束光刻胶（ZEP）

2.干法刻蚀中，反应离子刻蚀（RIE）的主要特点是：

A.仅依靠物理轰击完成刻蚀

B.化学腐蚀占主导，各向同性

C.物理轰击与化学反应协同作用，各向异性

D.仅通过等离子体中的中性自由基反应

3.低压化学气相沉积（LPCVD）制备氮化硅（Si?N?）时，常用的反应气体组合是：

A.SiH?+NH?

B.SiCl?+H?

C.TEOS+O?

D.WF?+SiH?

4.离子注入后进行退火的主要目的是：

A.去除表面氧化层

B.激活掺杂原子并修复晶格损伤

C.提高薄膜致密性

D.增强光刻胶附着力

5.化学机械抛光（CMP）过程中，磨料的主要作用是：

A.提供化学反应的催化剂

B.通过机械摩擦去除材料

C.调节抛光液pH值

D.防止表面划伤

6.热氧化法制备SiO?时，湿氧氧化与干氧氧化相比，主要优势是：

A.氧化速率更快

B.氧化层质量更优

C.表面更平整

D.适用于薄氧化层生长

7.以下哪种工艺属于后道（BEOL）工艺？

A.栅极氧化层生长

B.接触孔刻蚀

C.源漏区