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碳纳米管芯片互连技术的产业化障碍

一、引言

随着半导体制程不断向更小节点推进，传统铜基互连技术逐渐逼近物理极限。当芯片特征尺寸缩小到纳米级时，铜互连的电阻率会因表面散射和晶界散射效应显著上升，同时电迁移现象加剧，导致芯片可靠性下降、功耗飙升（国际半导体技术路线图组织，XXXX）。碳纳米管（CarbonNanotube,CNT）因其独特的一维结构，具备远超铜的理论导电率、优异的抗电迁移能力和良好的热稳定性，被业界视为下一代芯片互连技术的核心候选方案。

近年来，实验室层面的碳纳米管互连技术取得了突破性进展，部分研究团队已实现小范围内的原型芯片验证（麻省理工学院团队，XXXX）。然而，从实验室成