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国产集成电路EDA技术——基于华大九天EDA工具 项目四习题及答案.docx

国产集成电路EDA技术——基于华大九天EDA工具 项目四习题及答案.docx

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    项目四习题及答案

    一、选择题

    1.电流镜的电流增益主要由以下哪个参数决定？

    A.栅源电压?VGS?

    B.宽长比?W/L

    C.漏源电压?VDS?

    D.迁移率?μ

    答案：B

    解析：电流增益公式为Iout?/Iref?=(W/L)2?/(W/L)1?，由宽长比比例决定。

    2.PVT仿真中的“FF”代表（）。

    A.快速NMOS与快速PMOS

    B.典型NMOS与典型PMOS

    C.慢速NMOS与慢速PMOS

    D.快速NMOS与慢速PMOS

    答案：A

    解析：文档定义FF（Fast-Fast）为NMOS与PMOS均处于快速工艺角，对应低阈值电压、高迁移率。

    3.

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